據韓媒ZDNet報道，三星計劃從第10代(V10)NAND閃存開始，可能使用中國長江存儲的混合鍵合專利技術。這一決定標志著存儲行業技術競爭的新篇章。三星預計將于2025年下半年大規模生產V10 NAND，產品層數將達到420至430層。

　　隨著NAND技術的發展，傳統COP(Cell on Peripheral)技術在超過400層時面臨可靠性挑戰。為此，三星正尋求替代方案，并與長江存儲等公司協商專利協議。長江存儲憑借其晶棧Xtacking技術，在閃存領域建立了強大的專利組合，該技術能有效提升數據I/O接口速度和操作功能。

　　知情人士透露，美國Xperi、長江存儲和臺積電掌握著多數混合鍵合專利。面對下一代NAND如V10、V11和V12的技術瓶頸，三星選擇合作以確保順利過渡。