在IEEE ISSCC 2025國際固態電路會議上，三星電子公布了其HBM內存的最新路線圖，重點展示了HBM4E的性能參數目標。
據悉，HBM4E將引入32Gb DRAM裸片，并在16Hi堆疊時將單堆棧容量擴展至64GB。此外，HBM4E的每引腳速率提升至10Gbps，整體帶寬將達到HBM4的1.25倍。
這一技術突破預計將顯著提升高性能計算和人工智能領域的應用能力。英偉達計劃在2027年推出的Rubin Ultra AI GPU將支持12個HBM4 (E) 堆棧，單加速器內存容量有望達到768GB，為AI計算提供更強大的數據處理能力。
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