SK海力士今日宣布成功開發出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)樣品。據介紹，這是目前業界最快的服務器DRAM產品，該產品的最低數據傳輸速率也高達8Gbps，較之目前DDR5產品4.8Gbps提高了80%以上。

　　DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標準，主要應用于服務器和客戶端，目前已經發展至第五代。MCR DIMM是一種模塊產品，將多個DRAM組合在一塊主板上，能夠同時運行兩個內存列。

　　內存列(RANK) ：從DRAM模塊向CPU傳輸數據的基本單位。一個內存列通常可向CPU傳送64字節(Byte)的數據。

　　該MCR DIMM產品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認為DDR5的運行速度取決于單個DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個DRAM芯片的速度。

　　SK海力士技術團隊在設計產品時，以英特爾MCR技術為基礎，利用安裝在MCR DIMM上的數據緩沖器(data buffer)同時運行兩個內存列。

　　緩沖器(Buffer) ：安裝在內存模塊上的組件，用于優化DRAM與CPU之間的信號傳輸性能。主要安裝在對性能和可靠性要求較高的服務器模塊中

　　傳統DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節的數據，而在MCR DIMM模塊中，兩個內存列同時運行可向CPU傳輸128個字節的數據。每次傳輸到CPU的數據量的增加使得數據傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個DRAM的兩倍。

　　該產品的成功開發得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發到速度和性能驗證的各個階段都進行了緊密的合作。

　　SK海力士DRAM產品策劃擔當副社長柳城洙認為這款產品的成功開發取決于不同技術的結合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模塊設計能力與英特爾卓越的Xeon處理器、瑞薩電子的緩沖器技術融為一體。為確保MCR DIMM的穩定運行，模塊內外數據緩沖器和處理器能夠順暢交互至關重要。"

　　數據緩沖器負責從中間的模塊傳輸多個信號，服務器CPU則負責接受和處理來自緩沖器的信號。

　　柳副社長還表示："開發出業界速度最快的MCR DIMM充分彰顯了SK海力士DDR5技術的又一長足進步。我們將繼續尋求突破技術壁壘，鞏固在服務器DRAM市場的領導地位。"

　　英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特爾與SK海力士在內存創新、針對服務器的高性能、可擴展的DDR5領域處于領先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業合作伙伴。

　　"此次采用的技術源于英特爾和關鍵業界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾Xeon處理器可提供的帶寬。我們期待該技術能夠應用到未來的英特爾Xeon處理器上，支持業界的標準化和多世代開發。"

　　瑞薩電子副總裁兼Memory Interface部門長Sameer Kuppahalli表示，該數據緩沖器從構思到實現產品化歷經三年，"對于能夠攜手SK海力士和英特爾將該技術轉化為優秀的產品，我們深感自豪。"

　　SK海力士預計，在高性能計算對于內存帶寬提升需求的驅動下， MCR DIMM的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產該產品。