據媒體報道，在加利福尼亞州圣何塞舉辦的2024年三星晶圓代工論壇年度博覽會上，三星公布了最新的半導體芯片工藝路線圖。

　　三星宣布將在2025年量產2nm芯片，計劃在2027年量產1.4nm芯片，其中三星的2nm工藝布局了多個節點，第一代2nm工藝是SF2，后續三星又布局了SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等多個節點。

　　據悉，三星第一代2nm工藝SF2將于明年準備就緒，最先進的2nm工藝節點SF2Z將于2027年量產商用，它采用先進的后端供電網絡(BSPDN)技術，可以提高電源效率。

　　值得注意的是，三星2nm工藝進一步完善了多橋-通道場效應晶體管(MBCFET)架構，具有獨特的外延和集成工藝，與基于FinFET的工藝技術相比，晶體管性能提升了11%-46%，可變性降低26%，同時漏電降低約50%。

　　值得注意的是，在今年2月，三星宣布與Arm展開合作，提供基于最新的GAA晶體管技術，優化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內核，盡可能地提高了性能和效率。